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IRG7PH46UD-EP

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

IRF

International Rectifier

IRG7PH46UD-EP

包裝：散裝 封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1200V 108A COPAK247

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG7PH46UDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

IRF

International Rectifier

IRG7PH46UDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

IRF

International Rectifier

IRG7PH46U-EP

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

Features ?LowVCE(ON)trenchIGBTtechnology ?Lowswitchinglosses ?Maximumjunctiontemperature175°C ?SquareRBSOA ?100ofthepartstestedforILM ?PositiveVCE(ON)temperatureco-efficient ?Tightparameterdistribution ?Lead-Free Benefits ?Highefficiencyinawiderange

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International Rectifier

IRG7PH46UPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

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International Rectifier

IRG7PH46UPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

Features ?LowVCE(ON)trenchIGBTtechnology ?Lowswitchinglosses ?Maximumjunctiontemperature175°C ?SquareRBSOA ?100ofthepartstestedforILM ?PositiveVCE(ON)temperatureco-efficient ?Tightparameterdistribution ?Lead-Free Benefits ?Highefficiencyinawiderange

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International Rectifier

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IRG7PH46UD-EP

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    散裝

  • IGBT 類型：

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，40A

  • 開關(guān)能量：

    2.61mJ（開），1.85mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    45ns/410ns

  • 測(cè)試條件：

    600V，40A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247AD

  • 描述：

    IGBT 1200V 108A COPAK247

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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保證原裝正品,需要聯(lián)系張小姐 13544103396 微信同號(hào)
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更多IRG7PH46UD-EP供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-12 13:00:00

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