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IRGIB7B60KDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features ?LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. ?10μsShortCircuitCapability. ?SquareRBSOA. ?PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. ?MaximumJunctionTemperatureratedat175°C. ?Lead-Free Benefits ?BenchmarkEfficiencyforMotorControl. ?RuggedTransientPerform

IRF

International Rectifier

IRGIB7B60KDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

IRF

International Rectifier

IRGIB7B60KDPBF

Package:TO-220-3 整包;包裝:卷帶(TR) 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 600V 12A 39W TO220FP

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRGIB7B60KDPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

IRF

International Rectifier

IRGIB7B60KD

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features ?LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. ?10μsShortCircuitCapability. ?SquareRBSOA. ?PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. ?MaximumJunctionTemperatureratedat175°C. Benefits ?BenchmarkEfficiencyforMotorControl. ?RuggedTransientPerformance. ?Low

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International Rectifier

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IRGIB7B60KDPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • IGBT 類型:

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.2V @ 15V,8A

  • 開關(guān)能量:

    160μJ(開),160μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    23ns/140ns

  • 測試條件:

    400V,8A,50 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220AB 整包

  • 描述:

    IGBT 600V 12A 39W TO220FP

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
24+
TO-220-3
30
詢價
IR
23+
TO-247
18689
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IR
23+
TO-220FULLPAK
7750
全新原裝優(yōu)勢
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Infineon
18+
NA
3000
進口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)
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23+
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19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
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International Rectifier
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全新原裝 貨期兩周
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TO-220F
30000
只做正品原裝現(xiàn)貨
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TO-220
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更多IRGIB7B60KDPBF供應(yīng)商 更新時間2025-2-14 14:30:00