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| 零件編號 | 下載&訂購 | 功能描述 | 制造商&上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
IRGP4063DPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features ?LowVCE(ON)TrenchIGBTTechnology ?Lowswitchinglosses ?MaximumJunctiontemperature175°C ?5μSshortcircuitSOA ?SquareRBSOA ?100ofthepartstestedfor4Xratedcurrent(ILM) ?PositiveVCE(ON)Temperatureco-efficient ?UltrafastsoftRecoveryC | IRF International Rectifier | IRF | |
IRGP4063DPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE | IRF International Rectifier | IRF | |
IRGP4063DPBF | 包裝：管件 封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT TRENCH 600V 96A TO247AC | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE | IRF International Rectifier | IRF | ||
INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features ?LowVCE(ON)TrenchIGBTTechnology ?Lowswitchinglosses ?MaximumJunctiontemperature175°C ?5μSshortcircuitSOA ?SquareRBSOA ?100ofthepartstestedforILM ?PositiveVCE(ON)Temperatureco-efficient ?Tightparameterdistribution ?LeadFreePackage Benefits | IRF International Rectifier | IRF | ||
INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features ?LowVCE(ON)TrenchIGBTTechnology ?Lowswitchinglosses ?MaximumJunctiontemperature175°C ?5μSshortcircuitSOA ?SquareRBSOA ?100ofthepartstestedforILM ?PositiveVCE(ON)Temperatureco-efficient ?Tightparameterdistribution ?LeadFreePackage Benefits | IRF International Rectifier | IRF | ||
INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features ?LowVCE(ON)TrenchIGBTTechnology ?Lowswitchinglosses ?MaximumJunctiontemperature175°C ?5μSshortcircuitSOA ?SquareRBSOA ?100ofthepartstestedforILM ?PositiveVCE(ON)Temperatureco-efficient ?Tightparameterdistribution ?LeadFreePackage Benefits | IRF International Rectifier | IRF | ||
INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR | IRF International Rectifier | IRF | ||
MouldedCaseCircuitBreakers16-2500AmperesforIEC60947-2Applications | EATONEaton All Rights Reserved. 伊頓伊頓公司 | EATON | ||
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FASTANDULTRAFASTBUFFERAMPLIFIERS | NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司 | NSC | ||
FASTANDULTRAFASTBUFFERAMPLIFIERS | NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司 | NSC | ||
800mASingleChipLi-IonandLi-PolymerCharger | POWERLowpower Semiconductor inc 微源半導(dǎo)體微源半導(dǎo)體股份有限公司 | POWER | ||
StandaloneLinearLi-IonChargerwithMicropowerLowDropoutLinearRegulator | LINERLinear Technology 凌力爾特凌特半導(dǎo)體 | LINER | ||
Standalone750mALi-IonBatteryChargerin2x2DFN | LINERLinear Technology 凌力爾特凌特半導(dǎo)體 | LINER | ||
Standalone250mALi-IonBatteryChargerin2?2DFN | LINEAR Linear Integrated Systems | LINEAR | ||
Standalone750mALi-IonBatteryChargerin2x2DFN | LINERLinear Technology 凌力爾特凌特半導(dǎo)體 | LINER | ||
StandaloneLinearLi-IonChargerwithMicropowerLowDropoutLinearRegulator | LINERLinear Technology 凌力爾特凌特半導(dǎo)體 | LINER |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
IRGP4063DPBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- IGBT 類型：
溝道
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.14V @ 15V，48A
- 開關(guān)能量：
625μJ（開），1.28mJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
60ns/145ns
- 測試條件：
400V，48A，10 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-247AC
- 描述：
IGBT TRENCH 600V 96A TO247AC
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2305+ |
TO-3P |
3000 |
15年芯片行業(yè)經(jīng)驗(yàn)/只供原裝正品：0755-83267371鄒小姐 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO247 |
3000 |
全新原裝現(xiàn)貨,假一賠十 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO247 |
4000 |
100%原裝正品真實(shí)庫存,支持實(shí)單 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-247 |
20540 |
保證進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價 | ||
IR |
2020+ |
TO-247 |
9600 |
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO-247 |
15000 |
原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
21+ |
TO-247 |
6000 |
原裝正品 |
詢價 | ||
IR |
16+ |
TO-247 |
6027 |
全新原裝/深圳現(xiàn)貨庫2 |
詢價 | ||
IR |
2020+ |
TO-247 |
8000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
IR |
1553MX |
TO-247 |
2450 |
原廠直銷 |
詢價 |
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