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IRG7PK35UD1PBF

Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode

IRF

International Rectifier

IRG7PK35UD1PBF

Package:TO-247-3;包裝:散裝 類(lèi)別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 1400V 40A 167W TO247AC

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG7PK35UD1PBF_15

Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode

IRF

International Rectifier

IRG7PK35UD1

TrenchField-StopTechnologyIGBT

FEATURES ·VCE(sat)(typ.)=1.8V@VGE=15V,IC=40A ·LowSwitchingLosses ·VCE(sat)withPositiveTemperatureCoefficient APPLICATIONS ·FrequencyConverters ·UninterruptedPowerSupply ·AirConditioning ·MotorDrives

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IRG7PK35UD1PBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    散裝

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.35V @ 15V,20A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    650μJ(關(guān))

  • 輸入類(lèi)型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    -/150ns

  • 測(cè)試條件:

    600V,20A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AC

  • 描述:

    IGBT 1400V 40A 167W TO247AC

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多IRG7PK35UD1PBF供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-23 14:02:00