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IRG8P08N120KD-EPBF

包裝:管件 封裝/外殼:TO-247-3 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 1200V 15A TO247AD

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG8P08N120KDPBF

InsulatedGateBipolarTransistorwithUltrafastSoftRecoveryDiode

IRF

International Rectifier

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IRG8P08N120KD-EPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,5A

  • 開關(guān)能量:

    300μJ(開),300μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    20ns/160ns

  • 測試條件:

    600V,5A,47 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 1200V 15A TO247AD

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IRG8P08N120KD-EPBF供應(yīng)商 更新時間2024-12-25 10:18:00