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IRG8P08N120KD-EPBF 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌

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  • 廠家型號(hào):

    IRG8P08N120KD-EPBF

  • 產(chǎn)品分類:

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商:

    INFINEON/英飛凌

  • 庫存數(shù)量:

    9350

  • 產(chǎn)品封裝:

    TO-247-3

  • 生產(chǎn)批號(hào):

    24+

  • 庫存類型:

    常用庫存

  • 更新時(shí)間:

    2024-12-25 15:45:00

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原廠料號(hào):IRG8P08N120KD-EPBF品牌:Infineon Technologies

獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證

IRG8P08N120KD-EPBF是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Infineon Technologies生產(chǎn)封裝TO-247-3的IRG8P08N120KD-EPBF晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào):

    IRG8P08N120KD-EPBF

  • 規(guī)格書:

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱:

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱:

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱:

    英飛凌科技股份公司

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IRG8P08N120KD-EPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,5A

  • 開關(guān)能量:

    300μJ(開),300μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    20ns/160ns

  • 測(cè)試條件:

    600V,5A,47 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 1200V 15A TO247AD

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市宏捷佳電子科技有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    許小姐

  • 手機(jī):

    13530520535

  • 詢價(jià):
  • 電話:

    0755-83201583/83214703

  • 傳真:

    0755-22669259

  • 地址:

    福田區(qū)華強(qiáng)北路上步工業(yè)區(qū)102棟620室