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IRG8P25N120KDPBF 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌

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  • 廠家型號(hào)：

    IRG8P25N120KDPBF

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    INFINEON/英飛凌

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    9350

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-247-3

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2024-11-15 10:53:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：IRG8P25N120KDPBF品牌：Infineon Technologies

獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證

IRG8P25N120KDPBF是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Infineon Technologies生產(chǎn)封裝TO-247-3的IRG8P25N120KDPBF晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    IRG8P25N120KDPBF

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    IRF詳情

  • 廠商全稱：

    International Rectifier

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    11 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    639.22 kb

  • 資料說明：

    Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IRG8P25N120KDPBF

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，15A

  • 開關(guān)能量：

    800μJ（開），900μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    20ns/170ns

  • 測(cè)試條件：

    600V，15A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247AC

  • 描述：

    IGBT 1200V 40A 180W TO-247AC

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市宏捷佳電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    許小姐

  • 手機(jī)：

    13530520535

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83201583/83214703

  • 傳真：

    0755-22669259

  • 地址：

    福田區(qū)華強(qiáng)北路上步工業(yè)區(qū)102棟620室

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