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IRG8P60N120KD-EPBF

包裝：管件 封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1200V 100A TO247AD

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG8P60N120KDPBF

InsulatedGateBipolarTransistorwithUltrafastSoftRecoveryDiode

IRF

International Rectifier

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IRG8P60N120KD-EPBF

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，40A

  • 開關能量：

    2.8mJ（開），2.3mJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    40ns/240ns

  • 測試條件：

    600V，40A，5 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-247AD

  • 描述：

    IGBT 1200V 100A TO247AD

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IRG8P60N120KD-EPBF供應商 更新時間2025-1-12 14:15:00

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