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IRG8P25N120KD-EPBF

包裝：管件 封裝/外殼：TO-247-3 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1200V 40A TO247AD

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG8P25N120KDPBF

InsulatedGateBipolarTransistorwithUltrafastSoftRecoveryDiode

IRF

International Rectifier

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IRG8P25N120KD-EPBF

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，15A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    800μJ（開(kāi)），900μJ（關(guān)）

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    20ns/170ns

  • 測(cè)試條件：

    600V，15A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247AD

  • 描述：

    IGBT 1200V 40A TO247AD

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Infineon
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更多IRG8P25N120KD-EPBF供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-25 10:18:00

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