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IRG4RC20FPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features ?Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerationIGBTs. ?IndustrystandardTO-252AApackage. ?Combinessverylo

IRF

International Rectifier

IRG4RC20FPBF

包裝:管件 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線(xiàn) + 接片),SC-63 類(lèi)別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 600V 22A 66W DPAK

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4RC20F

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.82V,@Vge=15V,Ic=12A)

FastSpeedIGBT Features ?Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerationIGBTs. ?IndustrystandardTO-252AApackage ?Co

IRF

International Rectifier

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IRG4RC20FPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,12A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    190μJ(開(kāi)),920μJ(關(guān))

  • 輸入類(lèi)型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    26ns/194ns

  • 測(cè)試條件:

    480V,12A,50 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線(xiàn) + 接片),SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    D-Pak

  • 描述:

    IGBT 600V 22A 66W DPAK

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IR
2020+
TO-252
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只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增
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原裝正品
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原裝現(xiàn)貨,隨時(shí)歡迎詢(xún)價(jià)
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100%原裝正品現(xiàn)貨
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Infineon
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3485
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)QQ3171516190
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詢(xún)價(jià)
International Rectifier
2022+
1
全新原裝 貨期兩周
詢(xún)價(jià)
更多IRG4RC20FPBF供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-10-28 11:11:00