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IRG7PH42U-EP

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features ?LowVCE(ON)trenchIGBTtechnology ?Lowswitchinglosses ?Maximumjunctiontemperature175°C ?SquareRBSOA ?100ofthepartstestedforILM ?PositiveVCE(ON)temperatureco-efficient ?Tightparameterdistribution ?Lead-Free Benefits ?Highefficiencyinawiderange

IRF

International Rectifier

IRG7PH42U-EP

Package:TO-247-3;包裝:管件 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 1200V 90A 385W TO247AD

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG7PH42UD-EP

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

IRF

International Rectifier

IRG7PH42UDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

IRF

International Rectifier

IRG7PH42UDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

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International Rectifier

IRG7PH42UPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

IRF

International Rectifier

IRG7PH42UPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

Features ?LowVCE(ON)trenchIGBTtechnology ?Lowswitchinglosses ?Maximumjunctiontemperature175°C ?SquareRBSOA ?100ofthepartstestedforILM ?PositiveVCE(ON)temperatureco-efficient ?Tightparameterdistribution ?Lead-Free Benefits ?Highefficiencyinawiderange

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International Rectifier

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IRG7PH42U-EP

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,30A

  • 開關能量:

    2.11mJ(開),1.18mJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    25ns/229ns

  • 測試條件:

    600V,30A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 1200V 90A 385W TO247AD

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
23+
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全新原裝優(yōu)勢
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Infineon
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更多IRG7PH42U-EP供應商 更新時間2025-1-23 14:04:00