IRG7PH42U-EP 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌

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原廠料號(hào):IRG7PH42U-EP品牌:Infineon

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IRG7PH42U-EP是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Infineon/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝N/A/TO-247-3的IRG7PH42U-EP晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào):

    IRG7PH42U-EP

  • 規(guī)格書:

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱:

    IRF詳情

  • 廠商全稱:

    International Rectifier

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù):

    10 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    403.08 kb

  • 資料說(shuō)明:

    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IRG7PH42U-EP

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,30A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    2.11mJ(開(kāi)),1.18mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    25ns/229ns

  • 測(cè)試條件:

    600V,30A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 1200V 90A 385W TO247AD

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市艾宇欣科技有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    王小姐

  • 手機(jī):

    137-5109-0307

  • 詢價(jià):
  • 電話:

    137-5109-0307/0755-83946758

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)梅林街道上梅社區(qū)上梅林新村30號(hào)403