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IRG4IBC20WPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

IRF

International Rectifier

IRG4IBC20WPBF

Designed expressly for Switch-Mode Power

IRF

International Rectifier

IRG4IBC20WPBF

Package：TO-220-3 整包；包裝：管件 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 12A 34W TO220FP

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4IBC20WPBF_15

Designed expressly for Switch-Mode Power

IRF

International Rectifier

IRG4IBC20FD

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features ?VeryLow1.66Vvotagedrop ?2.5kV,60sinsulationvoltage ?4.8mmcreapagedistancetoheatsink ?Fast:Optimizedformediumoperating frequencies(1-5kHzinhardswitching,>20 kHzinresonantmode). ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultrasoftrecovery

IRF

International Rectifier

IRG4IBC20FDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

IRF

International Rectifier

IRG4IBC20FDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features ?VeryLow1.66Vvotagedrop ?2.5kV,60sinsulationvoltage ?4.8mmcreapagedistancetoheatsink ?Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,ultrasoftrecoveryantiparallel

IRF

International Rectifier

IRG4IBC20KD

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features ?Highswitchingspeedoptimizedforupto25kHz withlowVCE(on) ?ShortCircuitRating10μs@125°C,VGE=15V ?Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan previousgeneration ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,

IRF

International Rectifier

IRG4IBC20KDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

IRF

International Rectifier

IRG4IBC20KDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features ?Highswitchingspeedoptimizedforupto25kHz withlowVCE(on) ?ShortCircuitRating10μs@125°C,VGE=15V ?Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan previousgeneration ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,

IRF

International Rectifier

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IRG4IBC20WPBF

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.6V @ 15V，6.5A

  • 開關(guān)能量：

    60μJ（開），80μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    22ns/110ns

  • 測試條件：

    480V，6.5A，50 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220AB 整包

  • 描述：

    IGBT 600V 12A 34W TO220FP

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
24+
TO-220F
52
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢價
IR
24+
TO-220-3
563
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IR
17+
TO-220
6200
100%原裝正品現(xiàn)貨
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Infineon
24+
NA
3000
進口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)
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IRF
23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
 詢價
IR
23+
TO-220F
8560
受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價熱賣!
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International Rectifier
2022+
1
全新原裝 貨期兩周
 詢價
IR
2023+
TO-220F
80000
一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品
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24+
TO-220F
35200
一級代理/放心采購
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IR
11+PBF
TO-220F
52
優(yōu)勢
 詢價
更多IRG4IBC20WPBF供應(yīng)商 更新時間2025-2-22 16:36:00

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