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IRG4PH30KPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Short Circuit Rated Ultrafast IGBT

Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10μs,VCC=720V,TJ=125°C, VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed ?Latestgenerationdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanprevious g

IRF

International Rectifier

IRG4PH30KPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

IRF

International Rectifier

IRG4PH30KPBF

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1200V 20A 100W TO247AC

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4PH30KPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

IRF

International Rectifier

IRG4PH30

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=1200V,Vce(on)typ.=3.10V,@Vge=15V,Ic=10A)

Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10μs,VCC=720V,TJ=125°C, VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed ?Latestgenerationdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanprevious g

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IRG4PH30

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=1200V,Vce(on)typ.=3.10V,@Vge=15V,Ic=10A)

Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10μs,VCC=720V,TJ=125°C, VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed ?Tighterparameterdistributionandhigherefficiency thanpreviousgenerations ?IGBTco-packagedwithHE

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International Rectifier

IRG4PH30K

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=1200V,Vce(on)typ.=3.10V,@Vge=15V,Ic=10A)

Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10μs,VCC=720V,TJ=125°C, VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed ?Latestgenerationdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanprevious g

IRF

International Rectifier

IRG4PH30KD

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=1200V,Vce(on)typ.=3.10V,@Vge=15V,Ic=10A)

Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10μs,VCC=720V,TJ=125°C, VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed ?Tighterparameterdistributionandhigherefficiency thanpreviousgenerations ?IGBTco-packagedwithHE

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International Rectifier

IRG4PH30KDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

IRF

International Rectifier

IRG4PH30KDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10μs,VCC=720V,TJ=125°C, VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed ?Tighterparameterdistributionandhigherefficiency thanpreviousgenerations ?IGBTco-packagedwithHE

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International Rectifier

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IRG4PH30KPBF

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    4.2V @ 15V，10A

  • 開關(guān)能量：

    640μJ（開），920μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    28ns/200ns

  • 測試條件：

    960V，10A，23 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-247AC

  • 描述：

    IGBT 1200V 20A 100W TO247AC

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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