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IRG4PH30KD

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A)

Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10μs,VCC=720V,TJ=125°C, VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed ?Tighterparameterdistributionandhigherefficiency thanpreviousgenerations ?IGBTco-packagedwithHE

IRF

International Rectifier

IRG4PH30KD

Package：TO-247-3；包裝：管件 類別：分立半導體產品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1200V 20A 100W TO247AC

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4PH30KDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10μs,VCC=720V,TJ=125°C, VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed ?Tighterparameterdistributionandhigherefficiency thanpreviousgenerations ?IGBTco-packagedwithHE

IRF

International Rectifier

IRG4PH30KDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

IRF

International Rectifier

IRG4PH30KDPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

IRF

International Rectifier

IRG4PH30KDPBF

Package：TO-247-3；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導體產品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1200V 20A 100W TO247AC

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4PH30

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=1200V,Vce(on)typ.=3.10V,@Vge=15V,Ic=10A)

Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10μs,VCC=720V,TJ=125°C, VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed ?Latestgenerationdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanprevious g

IRF

International Rectifier

IRG4PH30

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=1200V,Vce(on)typ.=3.10V,@Vge=15V,Ic=10A)

Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10μs,VCC=720V,TJ=125°C, VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed ?Tighterparameterdistributionandhigherefficiency thanpreviousgenerations ?IGBTco-packagedwithHE

IRF

International Rectifier

IRG4PH30K

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=1200V,Vce(on)typ.=3.10V,@Vge=15V,Ic=10A)

Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10μs,VCC=720V,TJ=125°C, VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed ?Latestgenerationdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanprevious g

IRF

International Rectifier

IRG4PH30KPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

IRF

International Rectifier

產品屬性

  • 產品編號：

    IRG4PH30KD

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    4.2V @ 15V，10A

  • 開關能量：

    950μJ（開），1.15mJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    39ns/220ns

  • 測試條件：

    800V，10A，23 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-247AC

  • 描述：

    IGBT 1200V 20A 100W TO247AC

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
23+
TO-247
65400
詢價
IR
2024+
N/A
70000
柒號只做原裝 現貨價秒殺全網
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24+
TO-247AC
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TO-3P
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2015+
TO-247AC
12500
全新原裝,現貨庫存長期供應
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TO-3P
10000
全新原裝現貨
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24+
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原裝現貨,可開13%稅票
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19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
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更多IRG4PH30KD供應商 更新時間2025-5-9 14:10:00

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