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IRG4RC10SDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features ?Extremelylowvoltagedrop1.1V(typ)@2A ?S-Series:Minimizespowerdissipationatupto3 KHzPWMfrequencyininverterdrives,upto4 KHzinbrushlessDCdrives. ?Tightparameterdistribution ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-soft-recoveryanti-

IRF

International Rectifier

IRG4RC10SDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

IRF

International Rectifier

IRG4RC10SDPBF

Package：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 14A 38W DPAK

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4RC10SDPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

IRF

International Rectifier

IRG4RC10U

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.15V,@Vge=15V,Ic=5.0A)

Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies(8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonantmode) ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneration ?IndustrystandardTO-252AApackage Benefits ?Generation

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IRG4RC10UD

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.15V,@Vge=15V,Ic=5.0A)

UltraFastCoPackIGBT Features ?UltraFast:Optimizedformediumoperatingfrequencies(8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonantmode). ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneration ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMu

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IRG4RC10UDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies(8-40kHzinhardswiching,>200kHzinresonantmode) ?Generation4IGBTdesignprovidestigherparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneration ?IGBTco-packagedwithHEXFRED?ultrafast,ultra-soft-recovery

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International Rectifier

IRG4RC10UDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

IRF

International Rectifier

IRG4RC10UPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

IRF

International Rectifier

IRG4RC10UPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies(8-40kHzinhardswiching,>200kHzinresonantmode) ?Generation4IGBTdesignprovidestigherparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneration ?IndustrystandardTO-252AApackage ?Lead-Free Benefits

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IRG4RC10SDPBF

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    1.8V @ 15V，8A

  • 開關(guān)能量：

    310μJ（開），3.28mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    76ns/815ns

  • 測(cè)試條件：

    480V，8A，100 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    D-Pak

  • 描述：

    IGBT 600V 14A 38W DPAK

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IR
2020+
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只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
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TO-252
6000
原裝正品
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9000
原裝現(xiàn)貨,隨時(shí)歡迎詢價(jià)
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100%原裝正品現(xiàn)貨
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Infineon
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3380
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)
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原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票
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International Rectifier
2022+
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全新原裝 貨期兩周
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Infineon
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深圳原裝現(xiàn)貨正品有單價(jià)格可談
 詢價(jià)
更多IRG4RC10SDPBF供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-21 22:30:00

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