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IRG4RC10UPBF	文件：654.18 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies(8-40kHzinhardswiching,>200kHzinresonantmode) ?Generation4IGBTdesignprovidestigherparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneration ?IndustrystandardTO-252AApackage ?Lead-Free Benefits	IRF International Rectifier	IRF
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IRG4RC10UPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 600V 8.5A 38W DPAK	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IRG4RC10UPBF_15	文件：654.18 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRG4RC10	文件：190.21 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.39V,@Vge=15V,Ic=5.0A) ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed ?Tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations	IRF International Rectifier	IRF
IRG4RC10	文件：120.87 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.10V,@Vge=15V,IC=2.0A) Features ?Extremelylowvoltagedrop;1.0Vtypicalat2A,100°C ?Standard:Optimizedforminimumsaturation voltageandlowoperatingfrequencies(	IRF International Rectifier	IRF
IRG4RC10	文件：134.98 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.39V,@Vge=15V,Ic=5.0A) Features ?ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10μs@125°C,VGE=15V ?Generation4IGBTdesignprovideshigherefficiencythanGeneration3 ?IndustrystandardTO-252AApackage Benefits ?Generation4IGBTsofferhig	IRF International Rectifier	IRF
IRG4RC10K	文件：134.98 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.39V,@Vge=15V,Ic=5.0A) Features ?ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10μs@125°C,VGE=15V ?Generation4IGBTdesignprovideshigherefficiencythanGeneration3 ?IndustrystandardTO-252AApackage Benefits ?Generation4IGBTsofferhig	IRF International Rectifier	IRF
IRG4RC10KD	文件：190.21 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.39V,@Vge=15V,Ic=5.0A) ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed ?Tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations	IRF International Rectifier	IRF
IRG4RC10KDPBF	文件：326.33 Kbytes Page：12 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features ?ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10μs@125°C,VGE=15V ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneration	IRF International Rectifier	IRF
IRG4RC10KPBF	文件：188.38 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORShortCircuitRatedUltraFastIGBT	IRF International Rectifier	IRF
IRG4RC10S	文件：120.87 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.10V,@Vge=15V,IC=2.0A) Features ?Extremelylowvoltagedrop;1.0Vtypicalat2A,100°C ?Standard:Optimizedforminimumsaturation voltageandlowoperatingfrequencies(	IRF International Rectifier	IRF
IRG4RC10SD	文件：189.76 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.10V,@Vge=15V,Ic=2.0A) Features ?Extremelylowvoltagedrop1.1V(typ)@2A ?S-Series:Minimizespowerdissipationatupto3 KHzPWMfrequencyininverterdrives,upto4 KHzinbrushlessDCdrives. ?Tightparameterdistribution ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-soft-recoveryanti-	IRF International Rectifier	IRF
IRG4RC10SDPBF	文件：353.86 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE	IRF International Rectifier	IRF
IRG4RC10SDPBF	文件：353.86 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features ?Extremelylowvoltagedrop1.1V(typ)@2A ?S-Series:Minimizespowerdissipationatupto3 KHzPWMfrequencyininverterdrives,upto4 KHzinbrushlessDCdrives. ?Tightparameterdistribution ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-soft-recoveryanti-	IRF International Rectifier	IRF
IRG4RC10U	文件：131.31 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.15V,@Vge=15V,Ic=5.0A) Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies(8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonantmode) ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneration ?IndustrystandardTO-252AApackage Benefits ?Generation	IRF International Rectifier	IRF
IRG4RC10UD	文件：191.19 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.15V,@Vge=15V,Ic=5.0A) UltraFastCoPackIGBT Features ?UltraFast:Optimizedformediumoperatingfrequencies(8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonantmode). ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneration ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMu	IRF International Rectifier	IRF
IRG4RC10UDPBF	文件：308.4 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies(8-40kHzinhardswiching,>200kHzinresonantmode) ?Generation4IGBTdesignprovidestigherparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneration ?IGBTco-packagedwithHEXFRED?ultrafast,ultra-soft-recovery	IRF International Rectifier	IRF
IRG4RC10UDPBF	文件：308.4 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE	IRF International Rectifier	IRF
IRG4RC10UTRPBF	文件：654.18 Kbytes Page：10 Pages	Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhighereffciencythanpreviousgeneration Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies(8-40kHzinhardswiching,>200kHzinresonantmode) ?Generation4IGBTdesignprovidestigherparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneration ?IndustrystandardTO-252AApackage ?Lead-Free Benefits	IRF International Rectifier	IRF

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
IRG4RC10UPBF
制造商：
Infineon Technologies
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
包裝：
管件
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.6V @ 15V，5A
開(kāi)關(guān)能量：
80μJ（開(kāi)），160μJ（關(guān)）
輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：
19ns/116ns
測(cè)試條件：
480V，5A，100 歐姆，15V
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
供應(yīng)商器件封裝：
D-Pak
描述：
IGBT 600V 8.5A 38W DPAK

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市坤融電子科技有限公司	IRG4RC10UPBF	IR	24+	TO-252	19579	只做原廠渠道可追溯貨源	詢價(jià)
深圳市華來(lái)深電子有限公司	IRG4RC10UPBF	IR	23+	TO-252	8650	受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)熱賣!	詢價(jià)
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更多IRG4RC10UPBF供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-15 16:36:00

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