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IRGB30B60K

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features ?LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. ?10μsShortCircuitCapability. ?SquareRBSOA. ?PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. ?MaximumJunctionTemperatureratedat175°C. Benefits ?BenchmarkEfficiencyforMotorControl. ?RuggedTransientPerformance. ?Low

IRF

International Rectifier

IRGB30B60K

Package：TO-220-3；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 78A 370W TO220AB

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRGB30B60KPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features ?LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology ?10μsShortCircuitCapability ?SquareRBSOA ?PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient ?MaximumJunctionTemperatureratedat175°C ?Lead-Free Benefits ?BenchmarkEfficiencyforMotorControl ?RuggedTransientPerformance

IRF

International Rectifier

IRGB30B60KPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features ?LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology ?10μsShortCircuitCapability ?SquareRBSOA ?PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient ?MaximumJunctionTemperatureratedat175°C ?Lead-Free Benefits ?BenchmarkEfficiencyforMotorControl ?RuggedTransientPerformance

IRF

International Rectifier

IRGB30B60KPBF

Package：TO-220-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 78A 370W TO220AB

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRGP30B60KD

NPTIGBT

DESCRIPTION ·LowDiodeVF ·10μsShortCircuitCapability ·UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics APPLICATIONS ·LowEMI ·RuggedTransientPerformance ·BenchmarkEfficiencyforMotorControl

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRGP30B60KD-E

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features ?LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. ?LowDiodeVF. ?10μsShortCircuitCapability. ?SquareRBSOA. ?UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. ?PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. ?TO-247ADPackage Benefits ?BenchmarkEfficiencyforMotorControl

IRF

International Rectifier

IRGP30B60KD-EP

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features ?LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. ?LowDiodeVF. ?10μsShortCircuitCapability. ?SquareRBSOA. ?UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. ?PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. ?TO-247ADPackage ?Lead-Free Benefits ?BenchmarkEfficiencyfor

IRF

International Rectifier

IRGP30B60KD-EPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

IRF

International Rectifier

IRGS30B60

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

Features ?LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. ?10μsShortCircuitCapability. ?SquareRBSOA. ?PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. ?MaximumJunctionTemperatureratedat175°C. Benefits ?BenchmarkEfficiencyforMotorControl. ?RuggedTransientPerformance. ?Low

IRF

International Rectifier

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IRGB30B60K

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.35V @ 15V，30A

  • 開關(guān)能量：

    350μJ（開），825μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    46ns/185ns

  • 測試條件：

    400V，30A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220AB

  • 描述：

    IGBT 600V 78A 370W TO220AB

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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原廠封裝
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原裝現(xiàn)貨假一罰十
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更多IRGB30B60K供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-22 13:30:00

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