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IRG4RC10UD

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.15V, @Vge=15V, Ic=5.0A)

UltraFastCoPackIGBT Features ?UltraFast:Optimizedformediumoperatingfrequencies(8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonantmode). ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneration ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMu

IRF

International Rectifier

IRG4RC10UD

Package：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 8.5A 38W DPAK

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4RC10UDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies(8-40kHzinhardswiching,>200kHzinresonantmode) ?Generation4IGBTdesignprovidestigherparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneration ?IGBTco-packagedwithHEXFRED?ultrafast,ultra-soft-recovery

IRF

International Rectifier

IRG4RC10UDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

IRF

International Rectifier

IRG4RC10UDPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

IRF

International Rectifier

IRG4RC10UDTRLP

Package：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 8.5A 38W DPAK

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4RC10UDTRP

Package：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 8.5A 38W DPAK

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4RC10

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.39V,@Vge=15V,Ic=5.0A)

ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed ?Tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations

IRF

International Rectifier

IRG4RC10

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.10V,@Vge=15V,IC=2.0A)

Features ?Extremelylowvoltagedrop;1.0Vtypicalat2A,100°C ?Standard:Optimizedforminimumsaturation voltageandlowoperatingfrequencies(

IRF

International Rectifier

IRG4RC10

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.39V,@Vge=15V,Ic=5.0A)

Features ?ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10μs@125°C,VGE=15V ?Generation4IGBTdesignprovideshigherefficiencythanGeneration3 ?IndustrystandardTO-252AApackage Benefits ?Generation4IGBTsofferhig

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International Rectifier

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IRG4RC10UD

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.6V @ 15V，5A

  • 開關(guān)能量：

    140μJ（開），120μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    40ns/87ns

  • 測(cè)試條件：

    480V，5A，100 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    D-Pak

  • 描述：

    IGBT 600V 8.5A 38W DPAK

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IR
24+
TO 247
161248
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
 詢價(jià)
IR
2024+
N/A
70000
柒號(hào)只做原裝 現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)
 詢價(jià)
INTERNATIONA
05+
原廠原裝
6655
只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)
 詢價(jià)
IR
24+
D-Pak
8866
詢價(jià)
IR
1415+
TO-252(DPAK)
28500
全新原裝正品,優(yōu)勢(shì)熱賣
 詢價(jià)
IR
24+
原廠封裝
182
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價(jià)
IR
17+
TO-252
6200
100%原裝正品現(xiàn)貨
 詢價(jià)
IR
2016+
TO-252
6528
房間原裝進(jìn)口現(xiàn)貨假一賠十
 詢價(jià)
IR
23+
D-Pak
8600
全新原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
ir
24+
N/A
6980
原裝現(xiàn)貨,可開13%稅票
 詢價(jià)
更多IRG4RC10UD供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-6 14:12:00

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