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IRG4RC10KDTRPBF

包裝：管件 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 9A 38W DPAK

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4RC10KPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORShortCircuitRatedUltraFastIGBT

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International Rectifier

IRG4RC10S

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.10V,@Vge=15V,IC=2.0A)

Features ?Extremelylowvoltagedrop;1.0Vtypicalat2A,100°C ?Standard:Optimizedforminimumsaturation voltageandlowoperatingfrequencies(

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IRG4RC10SD

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.10V,@Vge=15V,Ic=2.0A)

Features ?Extremelylowvoltagedrop1.1V(typ)@2A ?S-Series:Minimizespowerdissipationatupto3 KHzPWMfrequencyininverterdrives,upto4 KHzinbrushlessDCdrives. ?Tightparameterdistribution ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-soft-recoveryanti-

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IRG4RC10SDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

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IRG4RC10SDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features ?Extremelylowvoltagedrop1.1V(typ)@2A ?S-Series:Minimizespowerdissipationatupto3 KHzPWMfrequencyininverterdrives,upto4 KHzinbrushlessDCdrives. ?Tightparameterdistribution ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-soft-recoveryanti-

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IRG4RC10U

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.15V,@Vge=15V,Ic=5.0A)

Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies(8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonantmode) ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneration ?IndustrystandardTO-252AApackage Benefits ?Generation

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IRG4RC10UD

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.15V,@Vge=15V,Ic=5.0A)

UltraFastCoPackIGBT Features ?UltraFast:Optimizedformediumoperatingfrequencies(8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonantmode). ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneration ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMu

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IRG4RC10UDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies(8-40kHzinhardswiching,>200kHzinresonantmode) ?Generation4IGBTdesignprovidestigherparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneration ?IGBTco-packagedwithHEXFRED?ultrafast,ultra-soft-recovery

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IRG4RC10UDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

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IRG4RC10UPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

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IRG4RC10UPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies(8-40kHzinhardswiching,>200kHzinresonantmode) ?Generation4IGBTdesignprovidestigherparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneration ?IndustrystandardTO-252AApackage ?Lead-Free Benefits

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IRG4RC10UTRPBF

Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhighereffciencythanpreviousgeneration

Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies(8-40kHzinhardswiching,>200kHzinresonantmode) ?Generation4IGBTdesignprovidestigherparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneration ?IndustrystandardTO-252AApackage ?Lead-Free Benefits

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IRG4RC10KDTRPBF

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.62V @ 15V，5A

  • 開關(guān)能量：

    250μJ（開），140μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    49ns/97ns

  • 測試條件：

    480V，5A，100 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    D-Pak

  • 描述：

    IGBT 600V 9A 38W DPAK

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多IRG4RC10KDTRPBF供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-3 16:00:00

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