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IRG4BC30FD1PBF分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRG4BC30FD1PBF
廠商型號

IRG4BC30FD1PBF

參數(shù)屬性

IRG4BC30FD1PBF 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 31A 100W TO220AB

功能描述

Fast CoPack IGBT

文件大小

421.57 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-3 16:02:00

IRG4BC30FD1PBF規(guī)格書詳情

Features

? Fast: Optimized for medium operating frequencies

(1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode).

? Generation 4 IGBT design provides tighter

parameter distribution and higher efficiency than

Generation 3

? IGBT co-packaged with Hyperfast FRED diodes for ultra low

recovery characteristics.

? Industry standard TO-247AB package

? Lead-Free

Benefits

? Generation 4 IGBTs offer highest efficiencies available

? IGBTs optimized for specific application conditions

? FRED diodes optimized for performance with IGBTs.

Minimized recovery characteristics require less / no

snubbing

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IRG4BC30FD1PBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.8V @ 15V,17A

  • 開關(guān)能量:

    370μJ(開),1.42mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    22ns/250ns

  • 測試條件:

    480V,17A,23 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-220AB

  • 描述:

    IGBT 600V 31A 100W TO220AB

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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