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IRG4BC30S-S中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
IRG4BC30S-S |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=18A) |
| 文件大小 |
204.24 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
9 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | International Rectifier |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
IRF |
| 中文名稱 | International Rectifier官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2024-11-16 10:28:00 |
IRG4BC30S-S規(guī)格書(shū)詳情
Features
? Standard: optimized for minimum saturation voltage and low operating frequencies (< 1kHz)
? Generation 4 IGBT design provides tight parameter distribution and high efficiency
? Lead-Free
Benefits
? Generation 4 IGBTs offer highest efficiency available
? IGBTs optimized for specified application conditions
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRG4BC30S-S
- 功能描述：
DIODE IGBT 600V 34A D2PAK
- RoHS：
否
- 類(lèi)別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路
- 系列：
-
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
30
- 系列：
GenX3™ IGBT
- 類(lèi)型：
PT 電壓 -
- 集電極發(fā)射極擊穿（最大）：
1200V Vge,
- Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）：
3V @ 15V，100A 電流 -
- 集電極(Ic)（最大）：
200A 功率 -
- 最大：
830W
- 輸入類(lèi)型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 安裝類(lèi)型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
PLUS247?-3
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
22+ |
TO-263 |
34137 |
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO-263 |
5000 |
只做原裝公司現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
Infineon |
1931+ |
N/A |
493 |
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詢價(jià) | ||
IR |
22+ |
TO-263 |
9600 |
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢(shì)供應(yīng),支持實(shí)單! |
詢價(jià) | ||
IR |
SOT-263 |
68900 |
原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨! |
詢價(jià) | |||
IR |
22+ |
SOT263 |
8000 |
原裝正品支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
IR |
20+ |
TO-263 |
15800 |
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票 |
詢價(jià) | ||
IR |
21+ |
TO-263 |
6000 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||
IR |
21+ |
SOT-263 |
10000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價(jià) | ||
Infineon |
22+ |
NA |
2118 |
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詢價(jià) |
