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IRG4PC30分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRG4PC30
廠商型號

IRG4PC30
參數(shù)屬性

IRG4PC30 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 31A 100W TO247AC
功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)
封裝外殼

TO-247-3
文件大小

145 Kbytes
頁面數(shù)量

8 頁
生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-1-8 22:58:00

IRG4PC30規(guī)格書詳情

Fast Speed IGBT

Features

? Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode).

? Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3

? Industry standard TO-247AC package

Benefits

? Generation 4 IGBTs offer highest efficiency available

? IGBTs optimized for specified application conditions

? Designed to be a drop-in replacement for equivalent industry-standard Generation 3 IR IGBTs

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IRG4PC30FPBF

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.8V @ 15V，17A

  • 開關(guān)能量：

    230μJ（開），1.18mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    21ns/200ns

  • 測試條件：

    480V，17A，23 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247AC

  • 描述：

    IGBT 600V 31A 100W TO247AC

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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