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IRG4PH20KD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRG4PH20KD
廠商型號

IRG4PH20KD

參數(shù)屬性

IRG4PH20KD 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 11A 60W TO247AC

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.17V, @Vge=15V, Ic=5.0A)

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

276.79 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-4 10:50:00

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IRG4PH20KD規(guī)格書詳情

Short Circuit Rated UltraFast IGBT

Features

? High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10μs, VCC = 720V , TJ = 125°C, VGE = 15V

? Combines low conduction losses with high switching speed

? Tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations

? IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultrasoft recovery antiparallel diodes

Benefits

? Latest generation 4 IGBTs offer highest power density motor controls possible

? HEXFREDTM diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristics reduce noise, EMI and switching losses

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IRG4PH20KD

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    4.3V @ 15V,5A

  • 開關(guān)能量:

    620μJ(開),300μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    50ns/100ns

  • 測試條件:

    800V,5A,50 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AC

  • 描述:

    IGBT 1200V 11A 60W TO247AC

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
IR
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TO-247AC
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Infineon
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