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IRG4PH40UD2-E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

IRG4PH40UD2-E
廠商型號(hào)

IRG4PH40UD2-E

參數(shù)屬性

IRG4PH40UD2-E 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 41A TO247AD

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

文件大小

251.63 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-5 17:10:00

IRG4PH40UD2-E規(guī)格書(shū)詳情

Features

? UltraFast: Optimized for high operating

frequencies up to 200 kHz in resonant mode

? IGBT co-packaged with HEXFRED? ultrafast,

ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in

resonant circuit

? Industry standard TO-247AD package with

extended leads

Benefits

? Higher switching frequency capability than

competitive IGBTs

? Highest efficiency available

? HEXFRED diodes optimized for performance with

IGBTs . Minimized recovery characteristics require

less / no snubbing

Applications

? Induction cooking systems

? Microwave Ovens

? Resonant Circuits

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IRG4PH40UD2-EP

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    3.1V @ 15V,21A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    1.95mJ(開(kāi)),1.71mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    22ns/100ns

  • 測(cè)試條件:

    800V,21A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 1200V 41A TO247AD

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR
23+
TO247
90000
一定原裝房間現(xiàn)貨
詢價(jià)
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TO247
68900
原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨!
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24+
TO-247-3
46
詢價(jià)
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19+
TO-247
75139
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠;
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TO-247
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原裝正品
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一級(jí)代理/放心購(gòu)買!
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100%原裝正品現(xiàn)貨
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