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IRG4PH50S-EPBF分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
IRG4PH50S-EPBF |
| 參數(shù)屬性 | IRG4PH50S-EPBF 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 1200V 57A TO247AD |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| 封裝外殼 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
225.55 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
8 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | International Rectifier |
| 企業(yè)簡稱 |
IRF |
| 中文名稱 | International Rectifier官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-3-4 22:30:00 |
| 人工找貨 | IRG4PH50S-EPBF價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
IRG4PH50S-EPBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
1.7V @ 15V，33A
- 開關(guān)能量：
1.8mJ（開），19.6mJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
32ns/845ns
- 測試條件：
960V，33A，5 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-247AD
- 描述：
IGBT 1200V 57A TO247AD
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飛凌 |
2020+ |
NA |
80000 |
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詢價 | ||
INFINEON |
1209 |
TO247 |
10 |
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IR |
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TO3 |
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TO-247 |
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IR |
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22+23+ |
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VISHAY |
24+ |
TO-247 |
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詢價 | ||
IR |
24+ |
TO-247-3 |
319 |
詢價 | |||
Infineon/英飛凌 |
21+ |
TO-247(AC) |
6000 |
原裝現(xiàn)貨正品 |
詢價 | ||
IR原裝 |
TO-247 |
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詢價 |
