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IRG7PH28UD1MPBF分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRG7PH28UD1MPBF
廠商型號

IRG7PH28UD1MPBF

參數(shù)屬性

IRG7PH28UD1MPBF 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 30A 115W TO247AC

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE

文件大小

398.08 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-6 16:39:00

IRG7PH28UD1MPBF規(guī)格書詳情

Features

● Low VCE (ON) trench IGBT technology

● Low switching losses

● Square RBSOA

● Ultra-low VF diode

● 1300Vpk repetitive transient capacity

● 100 of the parts tested for ILM?

● Positive VCE (ON) temperature co-efficient

● Tight parameter distribution

● Lead-free package

Benefits

● Device optimized for induction heating and soft switching

applications

● High efficiency due to low VCE(ON), low switching losses and

ultra-low VF

● Rugged transient performance for increased reliability

● Excellent current sharing in parallel operation

● Low EMI

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IRG7PH28UD1MPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    散裝

  • IGBT 類型:

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.3V @ 15V,15A

  • 開關(guān)能量:

    543μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    -/229ns

  • 測試條件:

    600V,15A,22 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 1200V 30A 115W TO247AC

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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