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IRG7PH44K10D-EPBF

InsulatedGateBipolarTransistorwithUltrafastSoftRecoveryDiode

Features LowVCE(ON)andswitchinglosses 10μsShortCircuitSOA SquareRBSOA MaximumJunctionTemperature150°C PositiveVCE(ON)TemperatureCoefficient Benefits HighefficiencyinaWideRangeofApplications IncreasedReliability ExcellentCurrentSharinginPa

IRF

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更多IRG7PH44K10D-P供應商 更新時間2025-2-3 10:21:00

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