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IRG7PSH54K10DPBF分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

IRG7PSH54K10DPBF
廠商型號(hào)

IRG7PSH54K10DPBF
參數(shù)屬性

IRG7PSH54K10DPBF 封裝/外殼為T(mén)O-247-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 1200V 120A 520W TO274AA
功能描述

Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode
封裝外殼

TO-247-3
文件大小

752.66 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

11 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間

2025-1-8 20:00:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IRG7PSH54K10DPBF

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.4V @ 15V，50A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    4.8mJ（開(kāi)），2.8mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    110ns/490ns

  • 測(cè)試條件：

    600V，50A，5 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SUPER-247?（TO-274AA）

  • 描述：

    IGBT 1200V 120A 520W TO274AA

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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