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IRG7S313UPBF
廠商型號(hào)

IRG7S313UPBF

功能描述

PDP TRENCH IGBT

文件大小

250.11 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-23 19:10:00

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IRG7S313UPBF規(guī)格書(shū)詳情

Description

This IGBT is specifically designed for applications in Plasma Display Panels. This device utilizes advanced trench IGBT technology to achieve low VCE(on)and low EPULSETM rating per silicon area which improve panel efficiency. Additional features are 150°C operating junction temperature and high repetitive peak current capability. These features combine to make this IGBT a highly efficient, robust and reliable device for PDP applications.

Features

? Advanced Trench IGBT Technology

? Optimized for Sustain and Energy Recovery

circuits in PDP applications

? Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSE?)

for improved panel efficiency

? High repetitive peak current capability

? Lead Free package

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRG7S313UPBF

  • 功能描述:

    IGBT 晶體管 330V PDP TRENCH IGBT Ultrafast 8 - 30 kHz

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓:

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封裝/箱體:

    TO-247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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