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IRGB4064DPBF分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
IRGB4064DPBF |
參數(shù)屬性 | IRGB4064DPBF 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 20A 101W TO220AB |
功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
封裝外殼 | TO-220-3 |
文件大小 |
370.81 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
10 頁 |
生產(chǎn)廠商 | International Rectifier |
企業(yè)簡稱 |
IRF |
中文名稱 | International Rectifier官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-23 23:00:00 |
IRGB4064DPBF規(guī)格書詳情
Features
? Low VCE (on) Trench IGBT Technology
? Low Switching Losses
? Maximum Junction temperature 175 °C
? 5μs SCSOA
? Square RBSOA
? 100 of The Parts Tested for ILM
? Positive VCE (on) Temperature Coefficient.
? Ultra Fast Soft Recovery Co-pak Diode
? Tighter Distribution of Parameters
? Lead-Free Package
Benefits
? High Efficiency in a Wide Range of Applications
? Suitable for a Wide Range of Switching Frequencies due
to Low VCE (ON) and Low Switching Losses
? Rugged Transient Performance for Increased Reliability
? Excellent Current Sharing in Parallel Operation
? Low EMI
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
IRGB4064DPBF
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
卷帶(TR)
- IGBT 類型:
溝道
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
1.91V @ 15V,10A
- 開關能量:
29μJ(開),200μJ(關)
- 輸入類型:
標準
- 25°C 時 Td(開/關)值:
27ns/79ns
- 測試條件:
400V,10A,22 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3
- 供應商器件封裝:
TO-220AB
- 描述:
IGBT 600V 20A 101W TO220AB
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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IR |
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NA/ |
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IR |
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