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IRGB4B60KD1PBF分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRGB4B60KD1PBF
廠商型號

IRGB4B60KD1PBF

參數(shù)屬性

IRGB4B60KD1PBF 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT NPT 600V 11A TO220AB

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

442.69 Kbytes

頁面數(shù)量

16

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-14 20:00:00

IRGB4B60KD1PBF規(guī)格書詳情

Features

? Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.

? 10μs Short Circuit Capability.

? Square RBSOA.

? Positive VCE (on) Temperature Coefficient.

? Maximum Junction Temperature rated at 175°C.

? Lead-Free

Benefits

? Benchmark Efficiency for Motor Control.

? Rugged Transient Performance.

? Low EMI.

? Excellent Current Sharing in Parallel Operation.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IRGB4B60KD1PBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • IGBT 類型:

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,4A

  • 開關能量:

    73μJ(開),47μJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    22ns/100ns

  • 測試條件:

    400V,4A,100 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-220AB

  • 描述:

    IGBT NPT 600V 11A TO220AB

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IR
24+
TO220
58000
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術支持、樣品免費!
詢價
IR
22+
NA
68932
全新原裝正品現(xiàn)貨
詢價
IR
24+
TO-220-3
2708
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IR
23+
TO-220
10000
原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
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23+
TO-220AB
7750
全新原裝優(yōu)勢
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Infineon Technologies
22+
TO220AB
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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22+
TO220AB
25000
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單
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Infineon Technologies
24+
TO-220-3
9350
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證
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Infineon Technologies
23+
原裝
8000
只做原裝現(xiàn)貨
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Infineon Technologies
23+
原裝
7000
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