首頁(yè)>IRGBC40>規(guī)格書詳情

IRGBC40分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRGBC40
廠商型號(hào)

IRGBC40
參數(shù)屬性

IRGBC40 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT UFAST 600V 40A TO-220AB
功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=27A)
封裝外殼

TO-220-3
文件大小

248.18 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間

2025-2-1 18:01:00

IRGBC40規(guī)格書詳情

Description

Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) from International Rectifier have higher usable current densities than comparable bipolar transistors, while at the same time having simpler gate-drive requirements of the familiar power MOSFET. They provide substantial benefits to a host of high-voltage, high-current applications.

Features

? Switching-loss rating includes all tail losses

? Optimized for medium operating frequency ( 1 to

10kHz) See Fig. 1 for Current vs. Frequency curve

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IRGBC40U

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    3V @ 15V，20A

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220AB

  • 描述：

    IGBT UFAST 600V 40A TO-220AB

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
INTERNATIONALRECTIFIER
24+
35200
一級(jí)代理/放心采購(gòu)
 詢價(jià)
IR
TO220
68900
原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨!
 詢價(jià)
IOR
23+
TO220
4500
全新原裝、誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)、公司現(xiàn)貨銷售
 詢價(jià)
IRC
新
40
全新原裝 貨期兩周
 詢價(jià)
IR
24+
TO220
23
全新原裝
 詢價(jià)
IR
22+
TO
25000
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單
 詢價(jià)
IR
23+
TO
8000
只做原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
IR
23+
TO
7000
詢價(jià)
Infineon Technologies
2022+
TO-220AB
38550
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
 詢價(jià)
IR
23+
TO
10000
公司只做原裝正品
 詢價(jià)

相關(guān)庫(kù)存

更多