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IRGIB7B60KD 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 IR/國(guó)際整流器

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  • 廠(chǎng)家型號(hào)：

    IRGIB7B60KD

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠(chǎng)商：

    IR

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    12500

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-220F

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    2015+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-24 11:04:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠(chǎng)料號(hào)：IRGIB7B60KD品牌：IR

全新原裝,現(xiàn)貨庫(kù)存長(zhǎng)期供應(yīng)

  • 芯片型號(hào)：

    IRGIB7B60KD

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    IRF詳情

  • 廠(chǎng)商全稱(chēng)：

    International Rectifier

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    12 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    435.57 kb

  • 資料說(shuō)明：

    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

產(chǎn)品參考屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IRGIB7B60KDPBF

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • IGBT 類(lèi)型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.2V @ 15V，8A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    160μJ（開(kāi)），160μJ（關(guān)）

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    23ns/140ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，8A，50 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220AB 整包

  • 描述：

    IGBT 600V 12A 39W TO220FP

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市勤思達(dá)科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    朱小玲

  • 手機(jī)：

    18948336722

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話(huà)：

    0755-82710921/83264115/83265164/83268779

  • 傳真：

    0755-83955172

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北賽格科技園4棟中12樓A4-2L

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