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IRGR2B60KDTRRPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-FAST SOFT RECOVERY DIODE

Features ●LowVCE(ON)NonPunchThroughIGBTtechnology ●LowDiodeVF ●10μsShortCircuitCapability ●SquareRBSOA ●Ultra-softDiodeReverseRecoveryCharacteristics ●PositiveVCE(ON)temperatureco-efficient ●Lead-free Benefits ●BenchmarkEfficiencyforMotorControl ●

IRF

International Rectifier

IRGR2B60KDTRRPBF

包裝：管件 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT NPT 600V 6.3A DPAK

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

2B60UM

V-EA-Series-UL508ManualMotorController

ALTECH

Altech Corporation

IRGR2B60KDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRA-FASTSOFTRECOVERYDIODE

Features ●LowVCE(ON)NonPunchThroughIGBTtechnology ●LowDiodeVF ●10μsShortCircuitCapability ●SquareRBSOA ●Ultra-softDiodeReverseRecoveryCharacteristics ●PositiveVCE(ON)temperatureco-efficient ●Lead-free Benefits ●BenchmarkEfficiencyforMotorControl ●

IRF

International Rectifier

IRGR2B60KDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRA-FASTSOFTRECOVERYDIODE

IRF

International Rectifier

IRGR2B60KDTRLPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRA-FASTSOFTRECOVERYDIODE

Features ●LowVCE(ON)NonPunchThroughIGBTtechnology ●LowDiodeVF ●10μsShortCircuitCapability ●SquareRBSOA ●Ultra-softDiodeReverseRecoveryCharacteristics ●PositiveVCE(ON)temperatureco-efficient ●Lead-free Benefits ●BenchmarkEfficiencyforMotorControl ●

IRF

International Rectifier

IRGR2B60KDTRPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRA-FASTSOFTRECOVERYDIODE

Features ●LowVCE(ON)NonPunchThroughIGBTtechnology ●LowDiodeVF ●10μsShortCircuitCapability ●SquareRBSOA ●Ultra-softDiodeReverseRecoveryCharacteristics ●PositiveVCE(ON)temperatureco-efficient ●Lead-free Benefits ●BenchmarkEfficiencyforMotorControl ●

IRF

International Rectifier

P2B60AMA

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD

旭康微無(wú)錫旭康微電子有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IRGR2B60KDTRRPBF

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.25V @ 15V，2A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    74μJ（開(kāi)），39μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    11ns/150ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，2A，100 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    D-Pak

  • 描述：

    IGBT NPT 600V 6.3A DPAK

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Infineon Technologies
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原裝正品，支持實(shí)單
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更多IRGR2B60KDTRRPBF供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-1 13:02:00

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