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Features
? Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.
? Low Diode VF.
? 10μs Short Circuit Capability.
? Square RBSOA.
? Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics.
? Positive VCE (on) Temperature Coefficient.
? Lead-Free
Benefits
? Benchmark Efficiency for Motor Control.
? Rugged Transient Performance.
? Low EMI.
? Excellent Current Sharing in Parallel Operation.
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRGR3B60KD2TRLP
- 功能描述：
IGBT 模塊
- RoHS：
否
- 制造商：
Infineon Technologies
- 產(chǎn)品：
IGBT Silicon Modules
- 配置：
Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO：
600 V
- 集電極—射極飽和電壓：
1.95 V 在25
- C的連續(xù)集電極電流：
230 A
- 柵極—射極漏泄電流：
400 nA
- 功率耗散：
445 W
- 最大工作溫度：
+ 125 C
- 封裝/箱體：
34MM
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
TO252 |
68900 |
原包原標(biāo)簽100%進口原裝常備現(xiàn)貨! |
詢價 | |||
24+ |
N/A |
70000 |
一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇 |
詢價 | |||
Infineon(英飛凌) |
23+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
7000 |
原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價格優(yōu)勢終端BOM表可配單提供樣品 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
30000 |
原裝現(xiàn)貨,支持實單 |
詢價 | ||||
IR |
23+ |
TO252 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
IR |
22+ |
DPAK |
25000 |
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
NA |
8600 |
原裝正品,歡迎來電咨詢! |
詢價 | |||
IR |
23+ |
D-PAK |
7750 |
全新原裝優(yōu)勢 |
詢價 | ||
IR |
2022 |
TO252 |
80000 |
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO252 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 |
