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IRGS4062DPBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IRGS4062DPBF
廠商型號(hào)

IRGS4062DPBF

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

文件大小

465.35 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-23 23:00:00

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IRGS4062DPBF規(guī)格書(shū)詳情

Features

? Low VCE (ON) Trench IGBT Technology

? Low switching losses

? Maximum Junction temperature 175 °C

? 5 μS short circuit SOA

? Square RBSOA

? 100 of the parts tested for 4X rated current (ILM)

? Positive VCE (ON) Temperature co-efficient

? Ultra fast soft Recovery Co-Pak Diode

? Tight parameter distribution

? Lead Free Package

Benefits

? High Efficiency in a wide range of applications

? Suitable for a wide range of switching frequencies due to

Low VCE (ON) and Low Switching losses

? Rugged transient Performance for increased reliability

? Excellent Current sharing in parallel operation

? Low EMI

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRGS4062DPBF

  • 功能描述:

    IGBT 晶體管 600V Low VCEon

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓:

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封裝/箱體:

    TO-247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
TO-263
23+
NA/
9000
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票
詢價(jià)
IR
2020+
TO-263
80000
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增
詢價(jià)
TO-263
22+
10
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
詢價(jià)
Infineon
2022+
原廠原包裝
6800
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
詢價(jià)
Infineon Technologies
23+
原裝
7000
詢價(jià)
IR
23+
D2PAK
10000
公司只做原裝正品
詢價(jià)
Infineon
24+
NA
3282
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)
詢價(jià)
IR
0639+
TO263
29
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價(jià)
IR
23+
D2PAK
7750
全新原裝優(yōu)勢(shì)
詢價(jià)
ADI
2022+
LSSN
6000
一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品
詢價(jià)