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IRGSL10B60KD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
IRGSL10B60KD |
參數(shù)屬性 | IRGSL10B60KD 封裝/外殼為TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT NPT 600V 22A TO262 |
功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
封裝外殼 | TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA |
文件大小 |
324.07 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
15 頁 |
生產(chǎn)廠商 | International Rectifier |
企業(yè)簡稱 |
IRF |
中文名稱 | International Rectifier官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-11 23:00:00 |
IRGSL10B60KD規(guī)格書詳情
Features
? Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.
? Low Diode VF.
? 10μs Short Circuit Capability.
? Square RBSOA.
? Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics.
? Positive VCE (on) Temperature Coefficient.
Benefits
? Benchmark Efficiency for Motor Control.
? Rugged Transient Performance.
? Low EMI.
? Excellent Current Sharing in Parallel Operation.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
IRGSL10B60KDPBF
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
卷帶(TR)
- IGBT 類型:
NPT
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2.2V @ 15V,10A
- 開關(guān)能量:
140μJ(開),250μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準
- 25°C 時 Td(開/關(guān))值:
30ns/230ns
- 測試條件:
400V,10A,47 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-262
- 描述:
IGBT NPT 600V 22A TO262
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
NA/ |
2900 |
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TO-262 |
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IR |
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TO-262 |
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IR |
23+ |
TO-262 |
7300 |
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IR |
23+ |
TO-262 |
7000 |
詢價 | |||
Infineon |
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