首頁(yè)>IRGSL6B60KPBF>芯片詳情

IRGSL6B60K 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 IR/國(guó)際整流器

圖片僅供參考,請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào):

    IRGSL6B60K

  • 產(chǎn)品分類:

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商:

    IR/國(guó)際整流器

  • 庫(kù)存數(shù)量:

    7000

  • 產(chǎn)品封裝:

    TO-262

  • 生產(chǎn)批號(hào):

    23+

  • 庫(kù)存類型:

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間:

    2024-11-15 15:00:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào):IRGSL6B60K品牌:IR

  • 芯片型號(hào):

    IRGSL6B60K

  • 規(guī)格書(shū):

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱:

    IRF詳情

  • 廠商全稱:

    International Rectifier

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù):

    13 頁(yè)

  • 文件大小:

    245.45 kb

  • 資料說(shuō)明:

    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IRGSL6B60KPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • IGBT 類型:

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.2V @ 15V,5A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    110μJ(開(kāi)),135μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    25ns/215ns

  • 測(cè)試條件:

    400V,5A,100 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-262AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-262

  • 描述:

    IGBT 600V 13A 90W TO262

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    天津市博通航睿技術(shù)有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    馬總

  • 手機(jī):

    18322198211

  • 詢價(jià):
  • 電話:

    18322198211

  • 地址:

    天津市南開(kāi)區(qū)科研西路12號(hào)356室