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MMBTH10-4LT1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
MMBTH10-4LT1 |
| 參數(shù)屬性 | MMBTH10-4LT1 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3 |
| 功能描述 | VHF/UHF Transistor (NPN Silicon) |
| 封裝外殼 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
52.24 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
6 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-24 9:49:00 |
MMBTH10-4LT1規(guī)格書詳情
MMBTH10-4LT1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的MMBTH10-4LT1晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號(hào)。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
MMBTH10-4LT1
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
25V
- 頻率 - 躍遷：
800MHz
- 功率 - 最大值：
225mW
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 4mA，10V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
SOT-23-3（TO-236）
- 描述：
RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON原裝正品 |
21+ |
SOT23 |
102000 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
ON(安森美) |
23+ |
NA |
20094 |
正納10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持 |
詢價(jià) | ||
原廠 |
2021+ |
60000 |
原裝現(xiàn)貨，歡迎詢價(jià) |
詢價(jià) | |||
onsemi(安森美) |
23+ |
SOT-23 |
10000 |
只做原裝 假一賠萬 |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
24+ |
65200 |
詢價(jià) | ||||
ON/安森美 |
22+ |
SOT-23(SOT-23-3) |
12000 |
只有原裝,原裝,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價(jià) | ||||
ON |
11+ |
2810 |
原裝正品現(xiàn)貨庫存價(jià)優(yōu) |
詢價(jià) | |||
ON/安森美 |
22+ |
SOT23 |
25000 |
只有原裝絕對(duì)原裝,支持BOM配單! |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
22+ |
SMD |
21000 |
原裝正品 |
詢價(jià) |
