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MMBTH10分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MMBTH10
廠商型號(hào)

MMBTH10
參數(shù)屬性

MMBTH10 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
功能描述

NPN Plastic-Encapsulate Transistors
絲印標(biāo)識(shí)

3EM
封裝外殼

SOT-23 / TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
文件大小

1.31261 Mbytes
頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Jinan Jing Heng Electronics Co., Ltd.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

JINGHENG【晶恒】

中文名稱

濟(jì)南晶恒電子有限責(zé)任公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二
更新時(shí)間

2025-2-26 15:51:00
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晶體管資料

  • 型號(hào)：

    MMBTH10

  • 別名：

    MMBTH10三極管、MMBTH10晶體管、MMBTH10晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

  • 性質(zhì)：

    射頻/高頻放大 （HF）_本級(jí)振蕩 （Osc）

  • 封裝形式：

  • 極限工作電壓：

    30V

  • 最大電流允許值：

    0.3A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

  • 可代換的型號(hào)：

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    NO

  • vtest：

    30

  • htest：

    999900

  • atest：

    0.3

  • wtest：

    0

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MMBTH10

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    25V

  • 頻率 - 躍遷：

    650MHz

  • 功率 - 最大值：

    225mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    60 @ 4mA，10V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    50mA

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-23-3

  • 描述：

    RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
CJ/長(zhǎng)電
23+
SOT-23
13000
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
 詢價(jià)
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SOT23
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MMBTH10
1718
1718
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SOT-23-3
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三極管/MOS管/晶體管 > 三極管(BJT)
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