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MMBTH10

NPN RF Transistor

NPNRFTransistor ThisdeviceisdesignedforuseinlownoiseUHF/VHFamplifiers,withcollectorcurrentsinthe100μAto20mArangeincommonemitterorcommonbasemodeofoperations,andinlowfrequencydrift,highoutputUHFoscillators.SourcedfromProcess42.

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

MMBTH10

NPN SURFACE MOUNT VHF/UHF TRANSISTOR

Features ?DesignedforVHF/UHFAmplifierApplicationsandHighOutputVHFOscillators ?HighCurrentGainBandwidthProduct ?IdealforMixerandRFAmplifierApplicationswithcollectorcurrentsinthe100μA-30mARange ?Lead,HalogenandAntimonyFree,RoHSCompliantGreenDevice(Notes

DIODES

Diodes Incorporated

MMBTH10

NPN Silicon VHF/UHF Transistor

NPNSiliconVHF/UHFTransistor p/bLead(Pb)-Free

WEITRON

Weitron Technology

MMBTH10

RF TRANSISTOR

RFTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTCMMBTH10isdesignedforusingasVHFandUHFoscillatorsandVHFMixerinatunerofaTVreceiver.

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

MMBTH10

NPN HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

ThisdeviceisdesignedforVHF/UHFamplifierapplicationsandhighoutputVHFoscillators. SPECIFICATIONFEATURES CollectorCurrentsupto50mA GuaranteedMinimumCurrentGain-BandwidthProductof650MHz IndustryStandardSOT-23Package APPLICATIONS LowNoiseVHF/UHFAm

PANJITPan Jit International Inc.

強茂股份有限公司

MMBTH10

Marking：3EM；Package：SOT-23；Silicon Epitaxial Planar Transistor

FEATURES ●Hightransitionfrequency. ●Powerdissipation.(PC=350mW). APPLICATIONS ●VHF/UHFTransistor.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司

MMBTH10

NPN Silicon VHF/UHF Transistor

PNPSILICONEPITAXIALPOWERTRANSISTOR Thesedevicesareintendedforuseinaudiofrequencypoweramplifierandlowspeedswitchingapplications

SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD.

先之科半導體先之科半導體科技（東莞）有限公司

MMBTH10

NPN Epitaxial Planar Transistor

DESCRIPTION TheMMBTH10isdesignedforuseinVHF&UHFoscillatorsandVHFmixerintunerofaTVreceiver. FEATURES VHF/UHFTransistor

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

MMBTH10

SOT-23

NPNSiliconVHF/UHFTransistor

GSMEGuilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd.

桂微桂林斯壯桂微電子有限責任公司

MMBTH10

TRANSISTOR(NPN)

TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●VHF/UHFTransistor

HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

金譽半導體深圳市金譽半導體股份有限公司

晶體管資料

  • 型號：

    MMBTH10

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產廠家：

  • 制作材料：

  • 性質：

    射頻/高頻放大 （HF）_本級振蕩 （Osc）

  • 封裝形式：

  • 極限工作電壓：

    30V

  • 最大電流允許值：

    0.3A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

  • 可代換的型號：

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    NO

  • vtest：

    30

  • htest：

    999900

  • atest：

    0.3

  • wtest：

    0

產品屬性

  • 產品編號：

    MMBTH10

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    25V

  • 頻率 - 躍遷：

    650MHz

  • 功率 - 最大值：

    225mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    60 @ 4mA，10V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    50mA

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應商器件封裝：

    SOT-23-3

  • 描述：

    RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多MMBTH10供應商 更新時間2025-1-22 15:40:00

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