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IRL2505S中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
IRL2505S規(guī)格書詳情
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of
applications.
Advanced Process Technology
Surface Mount (IRL2505S)
Low-profile through-hole (IRL2505L)
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
Logic-Level Gate Drive
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
IRL2505S
- 功能描述:
MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
- RoHS:
否
- 類別:
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列:
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn):
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss):
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C:
18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝:
TO-220FP
- 包裝:
管件
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
21+ |
TO-263 |
30490 |
原裝現(xiàn)貨庫存 |
詢價(jià) | ||
IR |
1932+ |
TO-263 |
455 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
NA/ |
6156 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開票 |
詢價(jià) | ||
IR/VISHAY |
20+ |
TO-263 |
36900 |
原裝優(yōu)勢主營型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票 |
詢價(jià) | ||
IR |
TO-263 |
68900 |
原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨! |
詢價(jià) | |||
IR |
14+ |
TO-263 |
800 |
優(yōu)勢 |
詢價(jià) | ||
IR |
21+ |
TO-263 |
10000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
D2-Pak |
8600 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
22+ |
D2-PAK |
9450 |
原裝正品,實(shí)單請(qǐng)聯(lián)系 |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
22+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) |