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IRLI520	文件：37.3 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLI520A	文件：274.29 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRLI520G	文件：179.01 Kbytes Page：6 Pages	HEXFET-RPOWERMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLI520G	文件：993.51 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRLI520G	文件：294.45 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRLI520GPBF	文件：993.51 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRLI520N	文件：37.3 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLI520N	文件：299.09 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRLI520NPBF	文件：1.0604 Mbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLI520NPBF	文件：617.62 Kbytes Page：9 Pages	Logic??evelGateDrive	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IRLI520NPBF	文件：1.06504 Mbytes Page：10 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRLS520A	文件：258.48 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET BVDSS=100V RDS(on)=0.22Ω ID=7.2A FEATURES ●AvalancheRuggedTechnology ●RuggedGateOxideTechnology ●LowerInputCapacitance ●ImprovedGateCharge ●ExtendedSafeOperatingArea ●LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ●LowerRDS(ON):0.176Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
IRLS520A	文件：270.53 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRLW/I520A	文件：235.86 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
IRLW520A	文件：361.78 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRLWI520A	文件：233.1 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
JP520S	文件：502.63 Kbytes Page：4 Pages	PicoXinger20dBDirectionalCoupler	ANARENAnaren Microwave 安倫	ANAREN
JP520S	文件：504.94 Kbytes Page：5 Pages	PicoXinger20dBDirectionalCoupler	ANARENAnaren Microwave 安倫	ANAREN
JTX520	文件：134.31 Kbytes Page：2 Pages	QuartzCrystal	JAUCH Jauch Quartz Gmbh	JAUCH
JTX520	文件：48.96 Kbytes Page：1 Pages	SurfaceMountTuningForkCrystal	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1

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詳細參數(shù)

型號：
IRL520STRL
功能描述：
MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
RoHS：
否
類別：
分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
-
標準包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應商設備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多IRL520STRL供應商更新時間2021-9-14 10:50:00

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