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IRL530NSPBF

HEXFET Power MOSFET ( VDSS=100V , RDS(on)=0.10廓 , ID=17A )

IRF

International Rectifier

IRL530NSPBF

Adavanced Process Technology

IRF

International Rectifier

IRL530NSPBF

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

IRF

International Rectifier

IRL530NSPBF_15

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

IRF

International Rectifier

IRL530PBF

HEXFET?PowerMOSFET

IRF

International Rectifier

IRL530PBF

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRL530S

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRL530S

PowerMOSFET

FEATURES ?Surface-mount ?Availableintapeandreel ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Logiclevelgatedrive ?RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V ?175°Coperatingtemperature ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRL530STRRPBF

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRLI530A

ADVANCEDPOWERMOSFET

BVDSS=100V RDS(on)=0.12? ID=14A FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?175°COperatingTemperature ?LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ?LowerRDS(ON):

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRL530NSPBF

  • 功能描述：

    MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 100mOhms 22.7nC

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
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D2-PAK
6000
只做原廠渠道 可追溯貨源
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Infineon(英飛凌)
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更多IRL530NSPBF供應(yīng)商 更新時間2025-3-15 13:40:00

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