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IRL530NSPBF	文件：465.09 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET ( VDSS=100V , RDS(on)=0.10廓 , ID=17A )	IRF International Rectifier	IRF
IRL530NSPBF	文件：466.05 Kbytes Page：11 Pages	Adavanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRL530NSPBF	文件：466.05 Kbytes Page：11 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRL530NSPBF_15	文件：466.05 Kbytes Page：11 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRL530PBF	文件：250.43 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRL530PBF	文件：1.147 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRL530S	文件：281.14 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRL530S	文件：313.33 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Surface-mount ?Availableintapeandreel ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Logiclevelgatedrive ?RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V ?175°Coperatingtemperature ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRL530STRRPBF	文件：281.14 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRLI530A	文件：273.26 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCEDPOWERMOSFET BVDSS=100V RDS(on)=0.12? ID=14A FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?175°COperatingTemperature ?LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ?LowerRDS(ON):	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRLI530A	文件：274.38 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRLI530G	文件：175.4 Kbytes Page：6 Pages	HEXFETPowerMOSFET(VDSS=100V,RDS(on)=0.16廓,ID=9.7A)	IRF International Rectifier	IRF
IRLI530G	文件：1.54383 Mbytes Page：8 Pages	Logic-LevelGateDrive	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRLI530GPBF	文件：937.18 Kbytes Page：7 Pages	HEXFETPowerMOSFET(VDSS=100V,RDS(on)=0.16廓,ID=9.7A)	IRF International Rectifier	IRF
IRLI530GPBF	文件：902.05 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRLI530N	文件：144.89 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLI530N	文件：299.7 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRLI530NPBF	文件：225.16 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLI530NPBF	文件：234.12 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRLI530NPBF	文件：2.97762 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRL530NSPBF
功能描述：
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 100mOhms 22.7nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市坤融電子科技有限公司	IRL530NSPBF	IR	24+	D2-PAK	6000	只做原廠渠道可追溯貨源	詢價(jià)
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深圳市毅創(chuàng)騰電子科技有限公司	IRL530NSPBF	IR		TO-263	1000	原裝長(zhǎng)期供貨!	詢價(jià)
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更多IRL530NSPBF供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-11 16:36:00

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