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IRL530STRRPBF

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRLI530A

ADVANCEDPOWERMOSFET

BVDSS=100V RDS(on)=0.12? ID=14A FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?175°COperatingTemperature ?LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ?LowerRDS(ON):

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

IRLI530A

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRLI530G

HEXFETPowerMOSFET(VDSS=100V,RDS(on)=0.16廓,ID=9.7A)

IRF

International Rectifier

IRLI530G

Logic-LevelGateDrive

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRLI530GPBF

HEXFETPowerMOSFET(VDSS=100V,RDS(on)=0.16廓,ID=9.7A)

IRF

International Rectifier

IRLI530GPBF

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRLI530N

HEXFETPowerMOSFET

IRF

International Rectifier

IRLI530N

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRLI530NPBF

HEXFETPowerMOSFET

IRF

International Rectifier

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    IRL530STRRPBF

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 100V 15 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Vishay Siliconix
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更多IRL530STRRPBF供應(yīng)商 更新時間2025-1-22 16:26:00