IRLR024Z中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
IRLR024Z規(guī)格書詳情
Description
Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET? Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in Automotive applications and a wide variety of other applications.
Features
Logic Level
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRLR024Z
- 功能描述：
MOSFET N-CH 55V 16A DPAK
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO-252 |
2430 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-252 |
3000 |
原裝正品假一罰百!可開增票! |
詢價(jià) | ||
IR |
1415+ |
TO-252(DPAK) |
28500 |
全新原裝正品,優(yōu)勢(shì)熱賣 |
詢價(jià) | ||
IR |
21+ |
TO-252 |
30000 |
只做正品原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
2020+ |
原廠封裝 |
350000 |
100%進(jìn)口原裝正品公司現(xiàn)貨庫存 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
SOT-252 |
7000 |
詢價(jià) | |||
IR |
24+ |
TO-252 |
15000 |
原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
22+ |
D-pak |
8000 |
原裝正品支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
D-PAK |
16800 |
絕對(duì)原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,假一賠十,價(jià)格優(yōu)勢(shì)!? |
詢價(jià) | ||
IR |
17+ |
TO-252 |
6200 |
100%原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) |
