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IRLR024Z

AUTOMOTIVE MOSFET

Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimp

IRF

International Rectifier

IRLR024ZPBF

AUTOMOTIVE MOSFET

Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpr

IRF

International Rectifier

IRLU024

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.? TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thes

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRLU024

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRLU024

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRLU024

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRLU024

PowerMOSFET

FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Surface-mount(IRLR024,SiHLR024) ?Straightlead(IRLU024,SiHLU024) ?Availableintapeandreel ?Logic-levelgatedrive ?RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V ?Fastswitching ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.v

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRLU024A

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRLU024N

HEXFETPowerMOSFET

Description FifthGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewel

IRF

International Rectifier

IRLU024N

Logic-LevelGateDrive

Description FifthGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewel

IRF

International Rectifier

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IRLR024Z

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 55V 16A DPAK

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
IR
20+
TO-223
9986
詢價(jià)
IR
22+
原廠封裝
9450
原裝正品，實(shí)單請聯(lián)系
 詢價(jià)
IR
24+
TO-223
300
原裝正品/假一罰十/支持樣品/可開發(fā)票
 詢價(jià)
IR
24+
TO-252
501036
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
 詢價(jià)
IR
24+
D-Pak
8866
詢價(jià)
IR
1415+
TO-252(DPAK)
28500
全新原裝正品,優(yōu)勢熱賣
 詢價(jià)
IR
23+
D-Pak
8600
全新原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
IR
2020+
原廠封裝
350000
100%進(jìn)口原裝正品公司現(xiàn)貨庫存
 詢價(jià)
IR
1816+
T0-252
6523
科恒偉業(yè)!只做原裝正品,假一賠十!
 詢價(jià)
IRF
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
 詢價(jià)
更多IRLR024Z供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-8 15:47:00

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