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IRLR2905Z	文件：217.58 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimp	IRF International Rectifier	IRF
IRLR2905Z	文件：1.09339 Mbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRLR2905Z	文件：335.48 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRLR2905ZPBF	文件：266.77 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpro	IRF International Rectifier	IRF
IRLR2905ZPBF	文件：333.59 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRLR2905ZPBF	文件：333.59 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRLR2905ZPBF_15	文件：333.59 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRLR2905ZTRLPBF	文件：333.59 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRLR2905ZTRPBF	文件：333.59 Kbytes Page：11 Pages	Logic Level	IRF International Rectifier	IRF
IRLR2905ZTRPBF	文件：1.09681 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
IRLRU2905	文件：145.59 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLRU2905PBF	文件：319.87 Kbytes Page：11 Pages	Logic-LevelGateDrive	IRF International Rectifier	IRF
IRLR-U2905PBF	文件：319.87 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRLU2905PBF	文件：310.73 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=55V RDS(on)=0.027? ID=42A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesign	IRF International Rectifier	IRF
IRLU2905Z	文件：217.58 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimp	IRF International Rectifier	IRF
IRLU2905Z	文件：1.09339 Mbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRLU2905Z	文件：267.37 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRLU2905ZPBF	文件：266.77 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpro	IRF International Rectifier	IRF
IRLU2905ZPBF	文件：333.59 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
LM2905N	文件：944.57 Kbytes Page：12 Pages	PrecisionTimers	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司	NSC

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詳細參數(shù)

型號：
IRLR2905Z
功能描述：
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
RoHS：
否
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
HEXFET®
標準包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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深圳市中福國際管理有限公司	IRLR2905Z	INFINEON/英飛凌	23+	TO252-3	360000	專業(yè)供應(yīng)MOS/LDO/晶體管/有大量價格低	詢價
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IRLR2905Z	IR	24+	D-Pak	8866		詢價
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更多IRLR2905Z供應(yīng)商更新時間2024-12-25 12:00:00

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