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IRLR2905ZTRLPBF

Advanced Process Technology

IRF

International Rectifier

IRLR2905ZTRPBF

LogicLevel

IRF

International Rectifier

IRLR2905ZTRPBF

N-Channel60V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

IRLRSLASHU2905

HEXFETPowerMOSFET

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p

IRF

International Rectifier

IRLRU2905

HEXFETPowerMOSFET

IRF

International Rectifier

IRLRU2905PBF

Logic-LevelGateDrive

IRF

International Rectifier

IRLR-U2905PBF

AdvancedProcessTechnology

IRF

International Rectifier

IRLU2905PBF

HEXFETPowerMOSFET

VDSS=55V RDS(on)=0.027? ID=42A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesign

IRF

International Rectifier

IRLU2905Z

AUTOMOTIVEMOSFET

Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimp

IRF

International Rectifier

IRLU2905Z

AdvancedProcessTechnology

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRLR2905ZTRLPBF

  • 功能描述：

    MOSFET MOSFT 55V 60A 13.5mOhm 23nC LogLvl

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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原裝正品實單價格可談
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VISHAY專營進口原裝現(xiàn)貨假一賠十
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更多IRLR2905ZTRLPBF供應(yīng)商 更新時間2025-2-19 10:59:00

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